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eNCA 5月25日援引AFP报道称，中国科技企业Huawei在上海表示，已提出一种新的半导体制造和设计路径，目标是在2031年前生产下一代1.4纳米级芯片。
报道称，Huawei半导体部门负责人He Tingbo在上海举行的International Symposium on Circuits and Systems上发表演讲。她表示，公司希望通过新的芯片设计原则，降低对最先进光刻设备的依赖。
自2019年以来，Huawei受到美国及其盟友相关限制影响，获取部分美国技术、零部件以及先进芯片制造设备的能力受限。先进EUV光刻机通常被认为是大规模制造5纳米及以下芯片的重要设备。
He Tingbo提出的思路被称为Tau Scaling Law，也被称为Her's Law。与传统上继续压缩晶体管空间不同，这一思路更强调缩短信号在芯片各组成部分之间通信所需时间。
报道提到，Huawei称下一代Kirin芯片将在今年秋季首次全面采用基于这一原则的LogicFolding架构。行业领先企业TSMC此前预计将在2028年前达到类似1.4纳米级技术节点。
这项表态仍属于技术路线和时间表披露，不等于相关芯片已经量产。对在非洲做通信设备、数据中心、手机、AI算力和跨境贸易的华人读者来说，后续应关注实际量产进展、设备生态兼容性，以及美国出口管制对采购、转售和技术服务的合规影响。 |
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